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[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202111673425.5在审
发明人：张清纯;史文华;李敏 -专利权人：清纯半导体（上海）有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的第一漂移层；位于所述第一漂移层背离所述半导体衬底层一侧表面的第二漂移层，所述第二漂移层的导电类型与所述第一漂移层的导电类型相同，所述第二漂移层的掺杂浓度大于所述第一漂移层的掺杂浓度；位于所述第二漂移层中的掺杂保护区，所述掺杂保护区的导电类型与所述第二漂移层的导电类型相反，所述掺杂保护区的掺杂浓度高于所述第二漂移层的掺杂浓度，所述掺杂保护区与所述第二漂移层的顶面和底面均间隔设置
一种半导体结构及其制备方法

[实用新型]半导体器件-CN201920090693.6有效
发明人：拉尔夫·N·沃尔;李孟佳 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体器件，其特征在于，包括：三个端子；三个端子中的两个端子之间的漂移区，其中漂移区包括上漂移层、下漂移层；以及上漂移层和下漂移层之间的多个隐埋结层，其中，中间漂移层将每对相邻隐埋结层分隔开，上漂移层和下漂移层具有第一掺杂类型，每个隐埋结层包括第一材料和第二材料的散布图案，第一材料具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，并且第二材料具有第一掺杂类型并且具有与上漂移层和下漂移层不同的掺杂浓度，以及隐埋结层的散布图案相对于彼此不对准。
漂移层隐埋掺杂类型结层半导体器件掺杂材料第二材料第一材料漂移区散布图案本实用新型开关损耗性能退化不对准分隔掺杂架构

[发明专利]堆叠状的III-V族半导体二极管-CN202210116254.4在审
发明人： J·科瓦尔斯基;V·杜德克;R·博贾尼 -专利权人： 3-5电力电子有限责任公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：包括GaAs或者由GaAs组成的堆叠状的III‑V族半导体二极管具有高n型掺杂的阴极层、高p型掺杂的阳极层和布置在所述阴极层和所述阳极层之间的漂移区，其中，所述漂移区具有低n型掺杂的漂移层和低p型掺杂的漂移层，所述n型掺杂的漂移层布置在所述p型掺杂的漂移层和所述阴极层之间，两个漂移层分别具有至少5μm的层厚度并且沿着相应的层厚度具有最高8·1015cm‑3的掺杂剂浓度最大值，所述两个漂移层的掺杂剂浓度最大值彼此之间具有0.1至10的比值，并且，所述n型掺杂的漂移层的层厚度与所述p型掺杂的漂移层的层厚度的比值在0.5至3之间。
堆叠 iii 半导体二极管

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201910221349.0在审
发明人：渡部敦;上田博之;森朋彦 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述半导体装置包括n型第一漂移层、设置在所述第一漂移层的顶部的i型或n型耐压层、设置在所述耐压层的顶部的p型主体层、设置在所述第一漂移层的顶部并且与所述耐压层和所述主体层的侧表面接触的n型第二漂移层、设置在所述主体层的顶部并且通过所述主体层而隔离于所述第一漂移层、所述第二漂移层和所述耐压层的n型源极层、以及通过栅极绝缘膜面对所述主体层的栅电极，所述主体层位于所述第二漂移层与所述源极层之间。所述耐压层由具有大于所述第一漂移层的带隙的带隙的材料制成。
漂移层主体层半导体装置耐压层带隙栅极绝缘膜侧表面源极层栅电极制造隔离

[发明专利]一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法-CN202210532495.7在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低导通压降的SiC基肖特基器件及其制备方法，由下至上包括欧姆接触电极、n++型SiC衬底基片、n+型缓冲层、漂移层和肖特基接触电极；漂移层自下而上包括nx第一漂移层和n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度大于n‑第二漂移层的掺杂浓度，n‑第二漂移层之内设有p型屏蔽层；其中nx第一漂移层的掺杂浓度自下而上先由低变至高掺杂，后由高变至低掺杂。
一种具有低导通压降 sic 基肖特基器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体功率器件及其制备方法-CN202211095497.0在审
发明人：杜泽晨;杨霏;张文婷;刘瑞;安运来;牛喜平;桑玲;吴裔;田英杰 -专利权人：北京智慧能源研究院;国网上海市电力公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体功率器件及其制备方法，其中，半导体功率器件包括：半导体衬底层；第一漂移层，位于半导体衬底层上；第二漂移层，位于第一漂移层背离半导体衬底层的一侧表面，第二漂移层的导电类型和第一漂移层的导电类型相同，第二漂移层的掺杂浓度大于第一漂移层的掺杂浓度；位于第二漂移层中的阱区；位于阱区中的源区。
一种半导体功率器件及其制备方法

[发明专利]一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法-CN202210514739.9在审
发明人：江长福;周贤权 -专利权人：厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低导通电阻的SiC基MOSFET器件及其制备方法，其漂移层包括nx第一漂移层和设于nx第一漂移层上的n‑第二漂移层，nx第一漂移层的掺杂浓度高于n‑第二漂移层。本发明的具有分段掺杂外延结构的SiC基MOSFET器件，利用远离主结区的高掺杂漂移层降低器件的串联电阻，并利用主结区域的低掺杂层提高p型屏蔽层的保护作用，降低器件的米勒电荷，以提高SiC基MOSFET器件的开关转换能力
一种通电 sic mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法-CN202110210079.0在审
发明人：张园览;张清纯 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
一种肖特基二极管及其制备方法

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202120417435.1有效
发明人：张园览;张清纯 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。
一种肖特基二极管

[发明专利]带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法-CN201410166459.9有效
发明人：宋庆文;蒋明伟;汤晓燕;张艺蒙;贾仁需;王悦湖;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有N型漂移层台面的碳化硅UMOSFET器件及制作方法，该碳化硅UMOSFET器件包括栅极、多晶硅、槽栅介质、源极、源区接触、p‑外延层、N‑漂移层台面、N‑漂移层、N+衬底和漏极，其中，所述N‑漂移层台面设置在所述槽栅介质SiO2和N‑漂移层之间，所述N‑漂移层台面两侧为P‑外延层；所述N‑漂移层台面宽度小于多晶硅的宽度；N‑漂移层台面与所述N‑漂移层的掺杂浓度相同，为氮离子掺杂浓度为1×1015cm‑3～6×1015cm‑3的N型碳化硅外延层。
带有漂移台面碳化硅 umosfet 器件制作方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480071047.5有效
发明人：岩崎真也;亀山悟 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2014-11-19 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：IGBT区具备集电层、第一漂移层、第一体层、发射层和从半导体基板的表面侧起贯穿第一体层而到达第一漂移层的沟槽栅。二极管区具备阴极层、第二漂移层和第二体层。在位于沟槽栅的下端的深度与第一漂移层以及第二漂移层的表面之间的位置处的第一漂移层以及第二漂移层中，形成有包含结晶缺陷密度的峰值的寿命控制区。在半导体基板的表面侧的沟槽栅的上方还设置有氮化硅膜层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件-CN02148229.2有效
发明人：斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。
具有 resurf 功率半导体器件

[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件-CN200510099510.X无效
发明人：斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-06-11 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。
具有 resurf 功率半导体器件

[发明专利]氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法-CN201780020295.0有效
发明人：成田好伸 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明具有由n型半导体形成的基板、以及设置在基板上且由包含供体和碳的氮化镓形成的漂移层，漂移层中的供体的浓度为5.0×1016个/cm3以下，在漂移层的整个区域中，该浓度大于等于在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度，从漂移层中的供体的浓度减去在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度而得到的差值从基板侧朝向漂移层的表面侧缓缓增加
氮化物半导体装置制造方法

[发明专利]氮化物半导体基板、半导体装置和氮化物半导体基板的制造方法-CN201780020285.7有效
发明人：成田好伸 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-02-10 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明具有由n型半导体形成的基板、以及设置在基板上且由包含供体和碳的氮化镓形成的漂移层，漂移层中的供体的浓度为5.0×1016个/cm3以下，在漂移层的整个区域中，该浓度大于等于在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度，从漂移层中的供体的浓度减去在漂移层中作为受体发挥功能的碳的浓度而得到的差值从基板侧朝向漂移层的表面侧缓缓减少
氮化物半导体装置制造方法

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